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机译:通过优化前驱膜的退火温度以10%的效率制备Cu 2 sub> ZnSn(S,Se) 4 sub>光电器件
机译:通过优化前体膜的退火温度,用10%效率制造Cu2Znsn(SE)(4)光伏器件的制造
机译:通过空气退火显着提高Cu2ZnSN(SE,SE)(4)吸收层的晶体生长Cu2ZNSNS4前体薄膜
机译:Cuznsn金属合金前体膜的一步电沉积,然后用Cu 2 sub> ZnSns 4 sub>和Cu 2 sub> znsnse 4 Sub>光吸收膜和异质结装置
机译:由四元化合物通过硫化工艺制备Cu2ZnSnS4薄膜,用于光伏器件
机译:通过对电沉积前体进行氢化硫属元素化制备Cu2ZnSn(S,Se)4光伏吸收体。
机译:在各种退火温度下用球磨纳米粒子油墨制备Cu2ZnSnS4薄膜
机译:通过优化前体薄膜的退火温度,具有10%效率的Cu2zNSN(SE,SE)4伏的制造