...
机译:质子辐照后有源器件的低功率原位退火技术
机译:由20 MeV质子辐照的n-MOSFET中的热退火导致的恢复行为
机译:高伽马剂量照射后,原位热退火基于膜硅硅 - 绝缘体半导体的装置
机译:高伽马剂量照射后,原位热退火基于膜硅硅 - 绝缘体半导体的装置
机译:质子辐照后恢复有源器件的低功耗和原位退火技术
机译:高能质子辐照超高分子量聚乙烯的交联起始和氢退火研究。
机译:离子前列腺照射(IPI)–一项初步研究以光栅扫描技术确定质子和碳离子对前列腺的一次次分割照射的安全性和可行性
机译:质子辐照后恢复有源器件的低功耗和原位退火技术
机译:裂变和熔融辐照后硅器件的短期退火。