机译:SiCl4分子对铝和铜固体的蚀刻
机译:SiCl4分子在600 eV蚀刻铝固体
机译:在具有SiCl4 / SF6等离子体的AlxGa1-XP存在下,高度选择性干蚀刻间隙
机译:用于Algaas / Gaas HBT制备的SICL4反应离子刻蚀和激光反射法
机译:在静态磁控硅三极管反应离子蚀刻中使用反应器铝氯化铝形成的Al-Cu合金蚀刻
机译:Si(100)上的含羰基和氮的分子的反应以及无助焊剂在多晶Cu表面上的回流。
机译:温度梯度下Cu / Sn / Cu互连中液-固界面处Cu6Sn5金属间化合物的生长动力学
机译:为与固体表面相互作用的双原子分子构建准确的势能表面:H-2 + Pt(111)和H-2 + Cu(100)
机译:使用siCl4 / BCl3 / Cl2化学品通过可制造的RIE工艺对通孔蚀刻进行批判性分析