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机译:金刚石中氮和磷掺杂剂的电子能带结构
机译:具有Si掺杂和Si-V中心的二维氢化双层金刚石薄膜的电子结构
机译:密度函数研究在Sn掺杂TiO2中氧气缺陷对电子带结构和掺杂剂迁移的影响
机译:CdO作为典型的透明导电氧化物。掺杂离子半径和电子结构的体系对电荷传输和能带结构的影响
机译:Mg_2Si中掺杂剂电子结构的第一性原理研究
机译:用于电子应用的III-V纳米结构的掺杂物分析。
机译:掺杂物引起的局部应变改变电子结构
机译:超薄金刚石薄膜中的氮空位中心和掺杂剂:电子结构