Carrier-Induced Magnetic Solitons and Metal-Insulator Transition in Diluted Magnetic Semiconductors Ga&sub&1-x&/sub&Mn&sub&x&/sub&As

I. Kanazawa; S. Nakamura; R. Maeda

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Carrier-Induced Magnetic Solitons and Metal-Insulator Transition in Diluted Magnetic Semiconductors Ga&sub&1-x&/sub&Mn&sub&x&/sub&As

机译：稀释的磁性半导体Ga子1-x /子Mn x /子中的载流子诱导的磁孤子和金属-绝缘子跃迁

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We discuss hole-induced magnetic solitons and metal-insulator transition of transport properties in diluted magnetic semiconductors Ga_( 1-x )Mn_( x )As from the standpoint of a field theoretical formulation, and analyze experimental data of transport properties, using the supersymmetry sigma formula and the effective Lagrangian of diffusion model.

机译：从场理论公式的角度讨论了稀磁半导体Ga_（1-x）Mn_（x）As中空穴诱导的磁孤子和金属-绝缘体的传输性质转变，并利用超对称性分析了传输性质的实验数据sigma公式和有效的拉格朗日扩散模型。

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来源
《Journal of Modern Physics》 |2018年第14期|共6页
作者
I. Kanazawa; S. Nakamura; R. Maeda;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种
中图分类物理学;
关键词
Diluted Magnetic SemiconductorMagnetic SolitonMetal-Insulator TransitionLocalization;

机译：稀释的磁半导体磁孤子金属-绝缘体过渡局域化;

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