首页> 美国卫生研究院文献>Scientific Reports >A new route to enhance the ferromagnetic transition temperature in diluted magnetic semiconductors
【2h】

A new route to enhance the ferromagnetic transition temperature in diluted magnetic semiconductors

机译:提高稀磁半导体中铁磁转变温度的新途径

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We investigate the magnetic and the transport properties of diluted magnetic semiconductors using a spin-fermion Monte-Carlo method on a simple cubic lattice in the intermediate coupling regime. The ferromagnetic transition temperature T c shows an optimization behavior with respect to the absolute carrier density p abs and the magnetic impurity concentration x as seen in the experiments. Our calculations also show an insulator-metal-insulator transition across the optimum p abs where the T c is maximum. Remarkably, the optimum p abs values lie in a narrow range around 0.11 (holes/site) for all x values and the ferromagnetic T c increases with x. We explain our results using the polaron percolation mechanism and outline a new route to enhance the ferromagnetic transition temperature in experiments.
机译:我们在中间耦合机制中的简单立方晶格上使用自旋费米蒙特卡罗方法研究了稀磁性半导体的磁性和传输性质。如实验中所见,铁磁转变温度T c相对于绝对载流子密度p abs和磁杂质浓度x表现出优化行为。我们的计算还表明,在T c为最大的最佳p abs上,绝缘体-金属-绝缘体的过渡。值得注意的是,对于所有x值,最佳pabs值都在0.11(孔/位)附近的狭窄范围内,铁磁T c随着x的增加而增加。我们使用极化子渗流机理解释了我们的结果,并概述了提高实验中铁磁转变温度的新途径。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号