机译:全固态源原子层分子束外延生长的(lnP)5 /(Ga0.47 In0.53 As)5超晶格约束的1.5μm多量子阱激光
机译:气源分子束外延生长具有GaInP / AlInP超晶格限制层的GaInP / AlInP可见光激光器的室温连续波操作
机译:固体源分子束外延生长的1 .3μm的AIGaInAs / InP应变层量子阱激光器
机译:所有固体源分子束外延生长的高性能980 nm应变层GaInAs-GaInAsP-GaInP量子阱激光器
机译:高功率锥形INGaAs / GaAs激光二极管,具有通过固体源分子束外延生长形成的碳掺杂覆层
机译:通过分子束外延生长的汞碲化锌-碲化镉应变层超晶格的研究。
机译:自组装GaInNAs / GaAsN量子点激光器:固体源分子束外延生长和高温操作
机译:全固态源原子层分子束外延生长的(InP)5 /(Ga0.47In0.53As)5超晶格约束的1.5μm多量子阱激光器
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究