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【24h】

SIMULATION OF P-I-N PHOTODETECTOR ON THE BASIS OF PURE GERMANIUM AND SiGe ALLOY (95% Ge) FOR ABSORPTION OF LAMBDA = 1.3 MICROMETER

机译:基于纯锗和SiGe合金(95%Ge)吸收Lambda = 1.3微米的P-I-N光检测器的模拟

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