首页> 外文期刊>Pramana >Novel charge density wave transition in crystals of R5Ir4Si10
【24h】

Novel charge density wave transition in crystals of R5Ir4Si10

机译:R5Ir4Si10晶体中的新型电荷密度波跃迁

获取原文
       

摘要

We review the observation of novel charge density wave (CDW) transitions in ternary R5Ir4Si10 compounds. A high quality single crystal of Lu5Ir4Si10 shows the formation of a commensurate CDW along e?‘?-axis below 80 K in the (a??, 0, e?‘?) plane that coexists with BCS type superconductivity below 3.9 K. However, in a single crystal of Er5Ir4Si10, one observes the development of a 1D-incommensurate CDW at 155 K, which then locks into a purely commensurate state below 55 K. The well-localized Er3 moments are antiferromagnetically ordered below 2.8 K which results in the coexistence of strongly coupled CDW with local moment antiferromagnetism in Er5Ir4Si10. Unlike conventional CDW systems, extremely sharp transition (width a?? 1.5 K) in all bulk properties along with huge heat capacity anomalies in these compounds makes this CDW transition an interesting one.
机译:我们回顾了三元R5Ir4Si10化合物中新型电荷密度波(CDW)跃迁的观察。 Lu5Ir4Si10的高质量单晶显示在(a ??,0,e?'?)平面内沿着80 K以下的e?'?轴形成了相称的CDW,该CDW与低于3.9 K的BCS型超导共存。 ,在Er5Ir4Si10单晶中,人们观察到在155 K下出现一维不相称的CDW,然后将其锁定在55 K以下的纯相称状态。良好定位的Er3矩在2.8 K以下反铁磁有序,从而导致Er5Ir4Si10中强耦合CDW与局部矩反铁磁性的共存。与传统的CDW系统不同,在所有体积特性中都存在非常尖锐的跃迁(宽度a ?? 1.5 K),以及这些化合物中的巨大的热容异常,使得这种CDW跃迁成为一个有趣的跃迁。

著录项

  • 来源
    《Pramana》 |2002年第5期|共页
  • 作者

    S Ramakrishnan1;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 14:21:24

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号