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Effect of Aluminum mole fraction and well width on the probability density spreading in GaN/AlGaN quantum well

机译：铝摩尔分数和阱宽度对GaN / AlGaN量子阱中概率密度分布的影响

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《Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications》 |2007年第2007期|共页
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中图分类电工技术;
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2. The Effect of Built-in Electric Field In GaN/AlGaN Quantum Wells with High AIN Mole Fraction [J] . H.M.Ng, R.Harei, S.N.G.Chu, Journal of Electronic Materials . 2001,第3期

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