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机译:具有70nm技术的低泄漏和高数据稳定性空闲模式的新型8T SRAM电路
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机译:具有可变性的7T SRAM电路,具有低泄漏,高数据稳定性,休眠模式
机译:具有扩展的写入/读取稳定性的差分数据感知功率上电(D $ ^ {2} $ AP)8T SRAM单元,适用于更低的VDDmin应用
机译:新型基于低泄漏T-Gate的8T SRAM单元,具有90nm CMOS技术的改进的可写入性
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:评估用于现代医学技术的空闲生物信号测量的主要电极类型
机译:新的8T SRAM电路,70nm技术具有低泄漏和高数据稳定空转模式