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机译:HOT LWIR探测器的InAs / InAsSb II型超晶格的电子能带结构
InAs/InAs1?xSbxtype-II superlatticeT2SLsEnergy-band offsetInfrared detectorsLWIR;
机译:由于INAS / GASB Type-II超晶格LWIR光电探测器的干蚀刻工艺引起的暗电流改善,具有NBN结构
机译:基于Si衬底的分子束外延生长的基于GA-Fair Inas / Inassb Type-II超晶格的中空屏障探测器
机译:基于II型InAs / GaSb应变层超晶格的波段工程HOT中波红外探测器
机译:具有M-Surality屏障的非常高性能LWIR和VLWIR Type-II II型/ GASB超晶格光电二极管。
机译:在中波长红外线(MWIR)P-and N型INASSB和INAS / INASSB Type-II紧张层超大图格(T2SL)用于红外检测
机译:基于II型超晶格的带状结构设计的高增益LWIR光电探测器
机译:在高效红外光电探测器中应用的InAs / InAsSb II型超晶格的导带边缘以上的缺陷水平的证据
机译:最终报告:研究领域4:电子学:使用压力相关光致发光研究Inas / Inassb II型超晶格中的缺陷水平。