Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular (Anillo cuántico elíptico)

摘要

Resumen Los estados electrónicos de un anillo cuántico elíptico de GaAs embebido en una matriz de AlxGa1-xAs son investigados mediante la aproximación de masa efectiva. El anillo cuántico es construido con una sección transversal rectangular (dirección radial). La ecuación de Schr?dinger es resuelta mediante el método de elementos finitos. En dirección angular se modula la amplitud de la altura, lo que permite la generación de puntos cuánticos a lo largo del anillo. Se reportan las energías del electrón como función de las dimensiones S del anillo, tanto las longitudes de las elipses en el plano xy como su altura (eje z).↓Resumo Os estados eletr?nicos de um anel quantico elíptico de GaAs embutido em uma matriz de AlxGa1-xAs s?o investigados pela aproxima??o da massa efetiva. O anel quantico é construído com uma se??o transversal retangular (dire??o radial). A equa??o de Schr?dinger é resolvida pelo método dos elementos finitos. Na dire??o angular, a amplitude da altura é modulada, o que permite a gera??o de pontos quanticos ao longo do anel. As energias do elétron s?o relatadas como uma fun??o das dimens?es do anel, tanto os comprimentos das elipses no plano xy e sua altura (eixo z).