Multicapas TiN/GaN: Un Estudio Ab Initio

摘要

120 1920x1200 Normal 0 false false false EN-US X-NONE X-NONE Se usó el método Ondas Planas Aumentadas y Linealizadas (LAPW) con la Teoría del Funcional Densidad (DFT) para estudiar las propiedades estructurales y electrónicas de la multicapa 1x1-TiN/GaN en la estructura NaCl. Los efectos de correlaci ón e intercambio fueron tratados usando la GGA (Generalizad Gradient Approximation) de Perdew, Burke y Ernzerhof. Calculamos los parámetros estructurales de la superred TiN/GaN. Se encontró que el compuesto tiene un comportamiento metálico, lo que hace de esta multicapa un buen candidato para un posible contacto metal/semiconductor.   120 1920x1200 Normal 0 false false false EN-US X-NONE X-NONE The Linearized Augmented Plane Waves method within Density Functional Theory (DFT) has been used to analyze the structural and electronic properties of 1x1 TiN/GaN multilayer in NaCl structure. The exchange and correlation effects were treated using the Generalized Gradient Approximation (GGA) of Perdew, Burke and Ernzerhof. The structural parameters of multilayer were calculated. We have found that TiN/GaN multilayer present metallic behavior, making this compound a good candidate for a possible metal/semiconductor contact.