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机译:105量子位随机存取量子存储器的实验实现
机译:具有225个可单独访问的存储单元的多路复用量子存储器的实验实现
机译:量子点接触理论在基于双极HfO_2的电阻式随机存取存储器的传导机制中的实验证据
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机译:2 i sup>×j随机存取存储器的新型时延和量子成本可逆可逆实现
机译:长寿命量子记忆的实验实现
机译:具有225个可单独访问的存储单元的多路复用量子存储器的实验实现
机译:具有225的多路量子存储器的实验实现 可单独访问的存储单元
机译:VLsI(超大规模集成)Ram(随机存取存储器)和pROm(可编程随机存取存储器)的电气特性