机译:14 nm平面p型MOSFET器件的建模与表征
机译:与平面nMOSFET相比,使用带槽nMOSFET的超深亚微米CMOS器件增强了/ on / I_(off)
机译:14nm全耗尽SOI MOSFET的所有工作区特性和漏极与栅极电流失配建模
机译:28和14 nm FDSOI nMOSFET中漏极电流局部变化的表征和建模
机译:适用于14 nm节点及更高节点的高应变p型FDSOI MOSFET应力工程解决方案的机械仿真
机译:使用第一原理库仑散射迁移率建模和器件仿真来表征4H碳化硅MOSFET。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:高性能平面掺杂势垒亚100 nm沟道MOSFET的仿真,制造和表征