机译:纳米III-V三元InxGa1-x P半导体材料的化学气相沉积研究
机译:原子表面结构在III-V型化合物半导体的金属有机化学气相沉积中的作用
机译:宽带隙III-V材料的光化学气相沉积:光化学产生的自由基对氮化铝和氮化镓薄膜生长的影响
机译:金属有机化学气相沉积法制备三元半导体ZnCdSe纳米线及其发光
机译:原子表面结构在III-V复合半导体的金属化学气相沉积中的作用
机译:金属有机化学气相沉积和激光光化学气相沉积对III-V族化合物半导体材料的生长和表征
机译:化学气相沉积(CVD)法合成碳纳米材料的研究进展
机译:通过金属有机化学气相沉积生长和表征III-V化合物半导体纳米结构
机译:通过热和激光辅助金属有机化学气相沉积的III-V化合物半导体的原子层外延