机译:原子表面结构在III-V型化合物半导体的金属有机化学气相沉积中的作用
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的III-V半导体异质结器件
机译:Ga面GaN金属氧化物半导体电容器上Al_2O_3的原位有机金属化学气相沉积和电容电压表征
机译:原子表面结构在III-V复合半导体的金属化学气相沉积中的作用
机译:金属有机化学气相沉积和激光光化学气相沉积对III-V族化合物半导体材料的生长和表征
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:Bi2O2SE分层半导体的低温和高质量增长,通过裂解金属有机化学气相沉积
机译:通过热和激光辅助金属有机化学气相沉积的III-V化合物半导体的原子层外延