声明
第一章 绪论
1.1前言
1.2半导体纳米材料特性
1.2.1电子能带和带隙
1.2.2半导体光电导效应
1.2.3电导率和载流子迁移率
1.2.4电子-空穴对复合
1.3半导体纳米材料概述
1.3.1量子尺寸效应和表面效应
1.3.2硫化物纳米半导体材料的性质及研究进展
1.3.3固溶体纳米半导体材料概况与研究进展
1.3.4铋基纳米半导体材料概况与研究进展
1.4纳米半导体材料的分类
1.4.1 0-D纳米半导体材料
1.4.2 1-D纳米半导体材料
1.4.3 2-D纳米半导体材料
1.5纳米半导体材料的制备方法
1.5.1化学气相沉积法
1.5.2溶胶-凝胶法
1.5.3水热/溶剂热法
1.5.4 模版法
1.6 纳米光电探测器件概述
1.6.1 纳米半导体光电探测器件的特点
1.6.2 低维纳米半导体光电探测器件的应用
1.6.3 表征参数
1.7 本课题研究意义与主要内容
第二章 溶剂热合成Sb-Bi-S三元纳米线/棒及其光电探测性能
2.1前言
2.2实验
2.2.1 实验药剂和仪器
2.2.2 三元(Sb1-xBix)2S3固溶体的制备
2.2.3 样品表征
2.2.4器件构建及光电测量
2.3实验结果与讨论
2.3.1 XRD表征
2.3.2 SEM分析
2.3.3 TEM分析
2.3.4 系统相位关系分析
2.3.5 组成依赖性长径比探究
2.3.6 UV–vis分析
2.3.7高分辨XPS分析
2.3.8光电性能表征
2.4本章小结
第三章 Bi2S3模板转化合成BiSI纳米棒及其光电性能
3.1前言
3.2实验部分
3.2.1实验试剂与仪器
3.2.2 BiSI纳米材料的合成
3.2.3 样品表征
3.2.4 光探测器件构建和光电响应性能测定
3.3实验结果与讨论
3.3.1 XRD表征
3.3.2 SEM分析
3.3.3 TEM分析
3.3.4 XPS分析
3.3.5 UV-vis分析
3.3.6光电性能表征
3.4总结
第四章 溶剂热合成固溶体Zn-In-S纳米微球及其光电性能
4.1前言
4.2实验部分
4.2.1实验试剂与仪器
4.2.2 Zn-In-S材料的合成
4.2.3 样品表征
4.2.4 光探测器件构建和光电响应性能测定
4.3结果与讨论
4.3.1物相分析
4.3.2 SEM分析
4.3.3 TEM分析
4.3.4 UV-vis分析
4.3.5光电性能表征
4.4 总结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
参考文献
致谢
硕士期间的科研成果
江苏大学;
