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机译:不同退火温度下铜基板上射频溅射TiO2薄膜的结构分析
机译:射频磁控溅射法研究衬底温度和退火温度对Pt薄膜结构,电学和微结构性能的影响
机译:通过使用高温溅射和一步退火在n-Si(100)衬底上生长的C54TiSi(2)薄膜的表面,结构和电性能
机译:通过使用高温溅射和一步退火在n-Si(100)衬底上生长的C54TiSi(2)薄膜的表面,结构和电性能
机译:研究基质类型对RF磁控溅射制备的TiO2薄膜结构,形态和光学性质的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:错误:“低温缓冲液,RF功率和退火对由RF-磁控溅射生长的ZnO / Al2O3(0001)薄膜结构和光学性质的影响”J。苹果。物理。 106,023511(2009)
机译:温度,生长动力学和基底对RF轴外溅射沉积YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(sub 7)薄膜微观结构的影响