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机译:适用于110 GHz InP MMIC应用的新型大信号模型
机译:用于50 GHz至110 GHz频率范围内RF功率应用的GaN MMIC
机译:75-110GHz可变增益InP-HEMT MMIC波导放大器模块-用于毫米波光谱系统和成像系统
机译:75-110GHz可变增益InP-HEMT MMIC波导放大器模块-用于毫米波光谱系统和成像系统
机译:基于110 GHz查找表的InP HEMT大信号模型,包括碰撞电离效应
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:110 GHz的INP MMIC应用的新型大信号模型
机译:D波段(110 GHz-170 GHz)的Inp Gunn设备的建模,设计,制造和测试