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Design of a Current Sensor for IDDQ Testing of CMOS IC | Science Publications

机译:用于CMOS IC的IDDQ测试的电流传感器的设计科学出版物

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摘要

> This study presents the design of an off-chip current sensor for IDDQ testing of CMOS (Complementary Metal-oxide Semiconductor) ICs (integrated circuit). It provides a linear voltage signal of IDDQ current with a conversion factor of 5 mV/μA without any amplification. A voltage-controlled switch is used to bypass the transient current peaks. It has also been shown that the sensor is capable of detecting IDDQ faults of a circuit at 100 kHz test frequency without degrading its performance.
机译: >这项研究提出了一种用于CMOS(互补金属氧化物半导体)IC(集成电路)的IDDQ测试的片外电流传感器的设计。它提供I DDQ 电流的线性电压信号,转换因子为5 mV /μA,无需任何放大。压控开关用于旁路瞬态电流峰值。还已经表明,该传感器能够在100 kHz测试频率下检测电路的IDDQ故障,而不会降低其性能。

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