机译:0.29Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-0.44Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-0.27PbTiO3单晶的电性能和晶体结构的温度依赖性
机译:0.29Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_3–0.44Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3–0.27PbTiO_3单晶的电性能和晶体结构的温度依赖性
机译:低温下极化和结晶度对Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3介电性能的影响
机译:矫顽织物的频率依赖性 - 和[011] - poLed rhombohedral pb(In1 / 2nb1 / 2)O = pb(Mg1 / 3nb2 / 3)O =Pbtio₃单晶
机译:弛豫基Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-PbTiO3单晶的通量生长和介电性能
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:低温下极化和结晶度对Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3介电性能的影响
机译:电性能的温度依赖性和0.29pb的晶体结构(In1 / 2nb1 / 2)O 3 -0.44pb(Mg1 / 3nb2 / 3)O 3 -0.27pbtio3single晶体