Wenig Widerstand

摘要

In Zeiten steigender Energiekosten ist es extrem wichtig, die Verlustleistung zu minimieren. Ein Weg dahin ist die Verkleinerung des Durchlasswiderstands der MOSFETs in Schaltwandlern. Ein neuer 40-V-Typ hat einen Durchlasswiderstand von nur 1,8 mΩ. Gerade einmal 1,8 mΩ Durchlasswiderstand (R_(DS(on)) weist der neueste N-Kanal-MOSFET mit 40 V Sperrspannung der Serie »OptiMOS 3« von Infineon auf. Die gesamte Produktfamilie umfasst Bausteine mit 40 V, 60 V und 80 V Sperrspannung in den SMD-Gehäusevarianten Super-SOS und S3O8. Obwohl das SuperSO8-Cehäuse nur etwa ein Fünftel so groß ist wie das D~2PAK, bietet es einen genauso niedrigen Durchlasswiderstand.