Die Vorteile eines Bipolartransistors wie hohe Spannungsfestigkeit und niedrige ohmsehe Verluste mit den Vorteilen eines Hochspannungs-MOSFETs wie leichte Ansteuerung und schnelles Schalten verbindet ein so genannter »Emitter-Switched Bipolar Transistor«. Damit lassen sich beispielsweise Schaltnetzteile mit Eingangsspannungen von 90 V bis 690 V realisieren. 2200 V bei 3 A kann der »STC03DE220HV« von ST-Microelectronics schalten. Dieser so genannte »Emitter-Swit-ched Bipolar Transistor« (ESBT) eignet sich damit als Leistungsschalter für verlustarme dreiphasige Schaltnetzteile mit Eingangsspannungen von 90 V bis 690 V. Mit der ESBT-Familie sollen Designer nunmehr Quasiresonanz-Wandler bis 250 W Leistung unter Verwendung einer einheitlichen Hardwareplattform mit geeigneten Controllern wie dem »L6565« von ST implementieren können.
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