Transistoren mit ?BISS?

摘要

Die ersten acht Produkte ihrer vierten Generation von ?BISS?-Transistoren mit niedrigen V_(CE(sat))-Werten hat NXP Semiconductors vorgestellt. Die Produktfamilie gliedert sich in zwei Zweige-einen mit ultraniedrigen V_(CE(sat))-Werten und einen mit hoher Schaltgeschwindigkeit. Die Bausteine sind für Sperrspannungen von 20 V bis 60 V verfügbar und besitzen kleine SMD-Geh?use der Bauformen SOT23 und SOT457. Bipolare Transistoren aus dem für ultrageringe V_(CE(sat))-Werte-optimierten Zweig der Familie zeichnen sich durch S?ttigungsspannungen von weniger als 50 mV bei 1 A aus, bei den vier neuen High-Speed-Schalttransistoren liegen die Schalt- und Speicherzeiten bei 125 ns.