Flip-Chip Technologie mit neuartigen UBM fur die Ankontaktierung von Transistoren in III/V-Technologie

摘要

Die Flip-Chip Technologie zur Montage von Halbleiterbauelementen weist gegenuber der Drahtbondtechnik viele Vorteile auf. Durch kurzere Leitungswege und die Moglichkeit, Bumps auf der gesamten Chipflache anzuordnen, verbessern sich gegenuber der Drahtbondmontage die elektrischen Eigenschaften des Aufbaus. Wesentlich fur die zuverlassige Funktion der Verbindung ist das Design und die technologische Realisierung der "Under Bump Metallisierung" (UBM). Bei der Herstellung der UBM dominieren bisher nasschemische Verfahren, wie beispielsweise galvanische oder aussenstromlose Abscheidungen in wassrigen Elektrolyten. Sie lassen sich jedoch nur schwer in eine bestehende III/V-Halbleiter Technologie integrieren. Die vorliegende Arbeit beschaftigt sich mit der Entwicklung und Qualifizierung der neuartigen Ni-basierten UBM-Technologie ausschliesslich mittels "Physical Vapour Deposition" (PVD)-Verfahren.