N-Kanal-Power-MOSFETs bis 75 A

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机译：N-Kanal-Power-MOSFET bis 75 A

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Über dreißig neue n-Kanal-Power-MOSFETs mit Durchbruchspannungen von 40 V und 55 V hat Renesas Electronics präsentiert. Dazu gehört z.B. auch der Baustein »NP75N04YUK«, der sich in seinem HSON-8-Gehäuse durch eine Stromtragfähigkeit bis 75 A auszeichnet.

机译：瑞萨电子展示了三十多种新型n沟道功率MOSFET，其击穿电压分别为40 V和55V。这包括也是“ NP75N04YUK”模块，其特征在于其HSON-8外壳的最大载流量为75A。

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《Design & Elektronik》 |2011年第10期|p.60|共1页
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