N-Kanal-Power-MOSFET

摘要

Eine Stromtreibfähigkeit von bis zu 75 A und ein On-Widerstand von 3,3 mΩ zeichnen den in einem 6 mm x 5,15 mm messenden HSON-8-Gehäuse untergebrachten N-Kanal-Power-MOSFET »NP-75N04YUK« von Renesas (Vertrieb: MSC) aus. Dank des Fertigungsprozesses ANL2 konnte die Figure of Merit gegenüber im UMOS4-Prozess gefertigten Bausteinen um etwa 40% verbessert werden.