SiC nun auch als Bare-Dies

摘要

AAOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) gibt es nun schon einige Zeit, allerdings nur als gehäuste Bauteile. Daher eigneten sie sich nicht für den Einsatz in Power-Modulen, wie sie oft in Umrichtern für Antriebe und die Photovol-taik vorkommen. Nun gibt es 1200-V-SiC-MOSFETs auch als Bare-Dies.