Silizium stößt hinsichtlich Geschwindigkeit, Temperaturfestigkeit, Energieeffizienz und Belastbarkeit mittlerweile an seine Grenzen. Galliumnitrid ist neben Siliziumkarbid das Material, das Leistungshalbleiter aus Silizium ablösen soll. Bei Leistungselektronik-Fachmessen in den USA und in Europa ist die Einführung von GaN-Bauteilen immer wieder das heißeste Thema. Doch wie bei jeder Einführung einer neuen Technologie gilt es auch hier, eine immer gleiche Herausforderung zu meistern: Wie schafft man einen Wissenspool, so- dass Entwickler die neuen Bauteile schnellund einfach eindesignen können, ohne die Kopfschmerzen durch-machenzu müssen, die Technologie-Vorreiter nur allzu gut kennen.
展开▼
