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用于控制GaN基装置的控制器以及用于实施所述控制器的方法

摘要

本公开提供一种用于控制GaN基半导体装置的控制器。所述控制器被配置成接收指示所述GaN基半导体装置的漏极到源极电流的电流感测信号VCS,并且生成到所述GaN基半导体装置的控制驱动信号VDRV,使得施加到所述GaN基半导体装置以接通所述GaN基半导体装置的栅极‑源极电压VGS在导通时间段内稳定到等于参考电压Vref的电压值。消除跨越所述电流感测电阻器的压降变化对所述GaN基半导体装置的操作的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN114128117A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英诺赛科(苏州)科技有限公司;

    申请/专利号CN202180004428.1

  • 发明设计人 邹艳波;杜发达;谢文斌;汤超;

    申请日2021-04-16

  • 分类号H02M1/08(20060101);

  • 代理机构44588 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王琴;曹玉存

  • 地址 215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    国际专利申请公布

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