机译:单轴应力对nMOSFET直流特性的实验研究
Mechanics and Electronics Research Institute, Fukuoka Industrial Technology Center, Yahatanishi-ku, Japan;
Deformation potential; electron mobility; n-type metal oxide semiconductor field effect transistors (nMOSFETs); parasitic resistance; residual stress;
机译:表面形态对阳性直流电压导体电晕特性的实验研究
机译:使用化学机械抛光技术的应变硅nMOSFET的DC和1 / f噪声特性
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机译:单轴应力对pMOSFET直流特性的实验和数值研究
机译:低温振动光谱法和单轴应力法研究稀III-V族合金中的氢-氮-氢中心。
机译:木贼甲醇提取物对实验性糖尿病小鼠精子特性和体外受精潜力的保护作用:实验研究
机译:单轴应力对nMOSFET直流特性的实验研究
机译:LENs XX中入射冲击后辐射和等离子效应的实验研究,以及与LENs II中“自由飞行”护罩和阶段分离和模式切换相关的非定常流动特性。