机译:磁场辅助自缠绕3-D纳米膜电容桥接MLCC和沟槽电容技术之间的差距
Leibniz IFW Dresden Inst Integrat Nanosci D-01069 Dresden Germany|TU Chemnitz Fac Elect Engn & Informat Technol D-09107 Chemnitz Germany|TU Chemnitz Ctr Mat Architectures & Integrat Nanomembrane MAI D-09126 Chemnitz Germany;
Leibniz IFW Dresden Inst Integrat Nanosci D-01069 Dresden Germany|TU Chemnitz Fac Elect Engn & Informat Technol D-09107 Chemnitz Germany|TU Chemnitz Ctr Mat Architectures & Integrat Nanomembrane MAI D-09126 Chemnitz Germany|Tech Univ Dresden Fac Phys D-01062 Dresden Germany;
3-D; capacitors; energy storage; magnetostatics; microfabrication; nanotechnology; origami; self-assembly; system integration; thin films;
机译:MOS电容器电荷存储容量的迭代逼近及其在DRAM沟槽电容器存储单元中的应用
机译:堆叠式沟槽电容器(STT)单元中的沟槽-沟槽泄漏电流特性
机译:集成在无源集成技术中的高性能沟槽电容器
机译:自对准技术可通过3D阵列晶体管和单面带实现40nm沟道电容器DRAM技术
机译:研究返回平面中的间隙,谐振抑制中的去耦电容器ESR和低互感滤波器。
机译:每秒超过一亿帧的368帧全局快门突发CMOS图像传感器具有逐像素沟槽电容器存储阵列
机译:用高能/高功率碳纳米管电极弥合双电层电容器和电池之间的性能差距
机译:中期结果NEpp评估汽车级多层陶瓷电容器(mLCC)。