...
首页> 外文期刊>IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs >An 8-bit 800-$muhboxW$1.23-MS/s Successive Approximation ADC in SOI CMOS
【24h】

An 8-bit 800-$muhboxW$1.23-MS/s Successive Approximation ADC in SOI CMOS

机译:采用SOI CMOS的8位800- $ muhboxW $ 1.23-MS / s逐次逼近ADC

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

We report on an 8-bit successive approximation analog-to-digital converter (SA-ADC) that was designed and fabricated in 0.5-$muhboxm$silicon on sapphire CMOS technology. The SA-ADC is capable of 32-MHz operation, providing 1.23-MS/s conversion rates, and consumes 800$muhboxW$at 3.3-V supply. The lack of substrate parasitic capacitances enables the use of small-area capacitors and reduces the noise coupling to the analog nodes. The circuits employ MOS transistors of different thresholds to optimize the performance and power dissipation of the system.
机译:我们报告了一个8位逐次逼近型模数转换器(SA-ADC),该器件是在基于蓝宝石CMOS技术的0.5-muhboxm $ silicon中设计和制造的。 SA-ADC能够以32MHz的频率运行,提供1.23-MS / s的转换速率,并在3.3V电源下消耗800 $ muhboxW $。基板寄生电容的缺乏使得能够使用小面积电容器,并减少了耦合至模拟节点的噪声。这些电路采用不同阈值的MOS晶体管来优化系统的性能和功耗。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号