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【24h】

Cobalt-palladium and cobalt-platinum bilayer films formed by chemical vapor deposition

机译:通过化学气相沉积形成的钴钯和钴铂双层薄膜

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摘要

The complexes [Co_3(CO)_9CCl], [Co_3(CO)_9CH], [Co_2(CO)_6 (CH≡CPh)and [Co_2(CO)_6 (HC≡C~t- Bu)] are shown to be excellent precursors for CVD of pure cobalt films, when using hydrogen as carrier gas. These compounds all possess good air and moisture stability, have high volatility, and are easy to prepare, store , and handle.
机译:络合物[Co_3(CO)_9CCl],[Co_3(CO)_9CH],[Co_2(CO)_6(CH = CPh)和[Co_2(CO)_6(HC = C〜t-Bu)]显示为使用氢气作为载气时,是纯钴膜CVD的极佳前体。这些化合物均具有良好的空气和湿气稳定性,高挥发性,并且易于制备,储存和处理。

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