机译:Si(111)-B上噻吩基层的各向异性生长
Polytechnique Montreal, Engineering Physics Department and Regroupement quebecois sur les materiaux de pointe (RQMP), Montreal, Canada;
Institut FEMTO-ST, Universite de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, 32 Avenue de l'Observatoire, F-25044 Besancon, France;
Polytechnique Montreal, Engineering Physics Department and Regroupement quebecois sur les materiaux de pointe (RQMP), Montreal, Canada;
Institut FEMTO-ST, Universite de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, 32 Avenue de l'Observatoire, F-25044 Besancon, France;
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Institut FEMTO-ST, Universite de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, 32 Avenue de l'Observatoire, F-25044 Besancon, France;
Institut FEMTO-ST, Universite de Franche-Comte, CNRS, ENSMM, 32 Avenue de l'Observatoire, F-25044 Besancon, France;
机译:(111)Cu /(111)HfN双层膜在(111)Si上的顺序外延生长和(111)HfN膜的扩散阻挡性能
机译:(111)Cu /(111)HFN双层膜的顺序外延生长(111)Si和(111)HFN膜的扩散阻隔性
机译:Sr硅化物层Mg2Si / Si(111)和Mg2Si / Si(111)衬底的生长演变
机译:MOS应用中直接生长在Si(111)上的外延Ge_(1-x)C_x(111)层的生长技术和表征的综合研究
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:直流电沉积在(111)纳米孪晶Cu膜中各向异性晶粒生长
机译:Si(111)-B上噻吩基层的各向异性生长