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Dimorphism and perturbed growth kinetics of cadmium sulfide thin films in a chemical working solution

机译:化学工作溶液中硫化镉薄膜的双态性和扰动生长动力学

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摘要

Thin films of numerous compound semiconductors, which crystallize in a (cubic) sphalerite structure, often display an alternative allotropic form as (hexagonal) wurtzite. The relative proportion of each depends in a characteristic manner on the growth conditions chosen. We applied an external magnetic flux during the growth of cadmium sulfide thin films from a chemical working solution, where the CdS molecules or small clusters are formed by a controlled reaction in an aqueous solution. The incorporation mechanism of such neutral particles into the polycrystalline CdS thin film is supposed to happen in a transition layer via a dissociation into charged constituents close to the growing interface. We found a clear effect of the external magnetic field on the film morphology, when the Lorentz force was acting parallel to the surface plane of the layer. Band-gap energy data from optical absorption measurements suggest dimorphism of the grown films, where the field application turns the commonly cubic crystal modification (Eg = 2.38 eV) into a hexagonal polytype with a 200 meV larger energy gap. PACS Nos.: 81.05Dz, 81.15Lm, 81.15Aa, 81.70Fy, 82.65My, 82.80Ch, 82.80EjLes films de plusieurs composés semi-conducteurs qui cristallisent sur un réseau de sphalérite (cubique) choisissent souvent une forme allotropique alternative de wurtzite (hexagonale). La proportion relative de chaque forme dépend des conditions de croissance du cristal. Nous avons appliqué un champ magnétique pendant la croissance de films minces de sulfure de cadmium à partir d'une solution dans laquelle des molécules ou de petits agglomérats de CdS sont formés de façon contrôlée dans une solution aqueuse. L'incorporation de telles particules neutres dans le film mince polycristallin est supposé se produire dans une couche de transition par le biais d'une dissociation en constituants chargés près de la surface de croissance. Nous observons un effet marqué du champ magnétique externe sur la morphologie du film lorsque la force de Lorentz est parallèle à la surface plane de la couche. Des données sur l'énergie d'intervalle (gap), Eg, de bande obtenues par absorption optique suggèrent un dimorphisme dans les films où l'application du champ pousse la forme cubique plus commune (Eg = 2,38 eV) vers un polytype hexagonal dont l'énergie Eg est plus grande de 200 meV. [Traduit par la Rédaction]
机译:以(立方)闪锌矿结构结晶的众多化合物半导体薄膜,通常会显示出(六方)纤锌矿等同素异形体形式。每种的相对比例以特征方式取决于所选的生长条件。在化学工作溶液中硫化镉薄膜的生长过程中,我们施加了外部磁通,其中CdS分子或小簇是通过水溶液中的受控反应形成的。这种中性粒子结合到多晶CdS薄膜中的机理应该是通过离解成接近生长界面的带电成分而在过渡层中发生的。当洛伦兹力平行于层的表面平面作用时,我们发现外部磁场对薄膜形态有明显影响。来自光吸收测量的带隙能量数据表明生长的薄膜具有二态性,在现场应用中,通常的立方晶体变体(E = 2.38 eV)变成了具有200 meV更大能量的六边形多型体间隙。 PACS编号:81.05Dz,81.15Lm,81.15Aa,81.70Fy,82.65My,82.80Ch,82.80EjLes电影de互惠生作曲家半导体的半透明结构(cubique)选配的所有替代品六角形)。 cri croissance du cristal条件的相对比例。可以轻松获得冠军奖杯的新品,也可以在购买过程中将小碎的镉从镉中分离出来,然后从小分子的混合物中分离出来。股份公司的中性粒状碎肉粉和多面体制品的双重购买权,两性组成者之间的联系被取消。电影《洛尔兹力》,《平行面》,《沙发》,《变形金刚》,《变形金刚》,《变形金刚》 Desdonnéessur l'énergied'intervalle(gap),E g ,de bande obtenues par吸收optiquesuggèrentun dimorphisme dans les filmsoùl'application du champ pousse la forme cubique plus commune(E < sub> g = 2,38 eV)与非六边形六边形E g est和grande de 200 meV。 [Traduit par laRédaction]

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