Calculation of the range of medium-energy F, Cs, and Ga ions in silicon carbide

摘要

We present simulation results for the implantation of fast F, Cs, and Ga ions into amorphous SiC using a technique that we developed in a previous work. Bragg's rule is employed to calculate the electronic and nuclear stopping powers in the compound. To find ion ranges, numerical solution of the first-order ODE have been performed by using Fehlberg fourth- and fifth-order Runge–Kutta method. The results are compared with experimental data, as well as with the result of the Monte Carlo program SRIM and other standard procedures such as PRAL. It is found that the agreement between our method and the literature is good. PACS Nos.: 61.72.Ww, 72.80.Jc, 61.80Nous présentons une simulation d'implantation rapide d'atomes de F, de Cs et de Ga dans du SiC amorphe, en utilisant une technique développée dans un travail antérieur. Les pouvoirs d'arrêt électronique et nucléaire de lacible composite sont calculés selon la règle de Bragg. Nous utilisons une méthode de Runge–Kutta à l'ordre quatrième-cinquième de Fehlberg pour obtenir la solution de l'équation différentielle du premier ordre qui donne les pénétrations ioniques. Nous comparons nos résultats avec des résultats expérimentaux, avec des résultats Monte Carlo pour le pouvoir d'arrêt dans la matière, ainsi qu'avec les résultat d'un autre algorithmede calcul connu sous le sigle de PRAL. Nous trouvons un bon accord entre nos résultats et ceux apparaissant dans la littérature.[Traduit par la Rédaction]