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机译:InGaO 3 sub>(ZnO) m sub>球团作为薄膜晶体管特性变化原因的研究
机译:InGaO3(ZnO)m颗粒的研究是薄膜晶体管特性变化的原因
机译:InGa03(ZnO)_m颗粒的研究是造成薄膜晶体管特性变化的原因
机译:通过控制ZnO薄膜生长的Vl / ll比并使用改良的薄膜晶体管层结构来改善金属有机化学气相沉积生长的ZnO薄膜晶体管的特性
机译:使用单晶IngaO_3(ZnO)_5薄膜制备MISFET表现出常关节特性
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:溶液法制备双层ZnO / In2O3薄膜晶体管的电学特性研究
机译:IngaO3(ZnO)M颗粒作为薄膜晶体管特性变异性的研究
机译:氢化ZnO基薄膜晶体管的研究。第1部分。