AN ION BEAM TRANSPORT DESIGN OPTIMIZATION IN A MEDIUM RANGE ION IMPLANTER SYSTEM

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AN ION BEAM TRANSPORT DESIGN OPTIMIZATION IN A MEDIUM RANGE ION IMPLANTER SYSTEM

机译：中程离子注入系统中离子束传输设计的优化

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Ion implantation is a powerful technique for modifying the near surface properties of material, so it is important in CMOS applications. To design an ion implanter system, the behavior of the ion beam passing through its elements must be understood. Therefore, it is necessary to study the transport of charged particle ion beams during their passage through the ion implanter system.

机译：离子注入是一种用于改变材料近表面特性的强大技术，因此在CMOS应用中非常重要。设计离子注入系统时，必须了解离子束穿过其元件的行为。因此，有必要研究带电粒子离子束通过离子注入系统时的传输。

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《Arabian Journal for Science and Engineering》 |2008年第2a期|347-359|共13页
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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);
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入库时间 2022-08-18 02:58:34

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