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机译:具有S和Mo空缺的MOS_2单层的CL_2,PH_3,ASH_3,BBR_3和SF_4气体吸附的第一原理研究
SRM Inst Sci & Technol Ctr Mat Sci & Nanodevices Dept Phys & Nanotechnol Kattankulathur 603203 Tamil Nadu India;
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Density functional theory; PH3; AsH3; BBr3; SF4; Gas adsorption and Van der Waals interaction;
机译:Cl_2,PH_3,AsH_3,BBr_3和SF_4气体在S和Mo空位的MoS_2单层上的吸附的第一性原理研究
机译:S和MO空位MOS_2单层PF_5气体分子吸附行为的第一个原理研究
机译:第一性原理研究COF_2和CF_4气体在掺Ni的MoS_2单层上的吸附行为
机译:SiGe单层上气体吸附作为传感器应用的第一性原理研究
机译:混合气体吸附的空位解决方案和二维气体模型。
机译:吸附气体传感和光学性质屠宰单层的分子:一项第一原则研究
机译:屠胶单层上分子的吸附,气体感测和光学性质:一项研究