机译:金属屏障诱导基于自组装的有机桶低k电介质的损伤及其通过有机模板残留的减少
Univ Leuven Dept Chem B-3000 Leuven Belgium|IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
Univ Leuven Dept Chem B-3000 Leuven Belgium|IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
On-chip interconnects; Low-k dielectric; Metal barrier; Low-k damage; Pore sealing; TaN/Ta sputtering;
机译:自组装基有机硅低k电介质中金属阻挡层引起的损伤及其通过有机模板残留物的减少
机译:使用模板残基的自旋自组装超低k电介质中的等离子体诱导的损伤减轻
机译:有机连接和末端基团对基于自组装的低k电介质的机械性能的影响
机译:蚀刻后模板去除策略可减少旋转OSG低k电介质中等离子体引起的损伤
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:用于制备层级孔金属有机框架的原位自组装模板策略
机译:使用模板残基的自旋自组装超低k电介质中的等离子体诱导的损伤减轻