机译:晶界扩散与退火温度的相互作用对NiO涂层钐掺杂钐电导率的影响
Pondicherry Univ Ctr Nanosci & Technol Kalapet 605014 Puducherry India;
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NiO-SDC film; SOFC; Interface; Diffusion; SOFC; Grain boundary; Conductivity;
机译:晶界扩散和退火温度对NiO包覆的do掺杂二氧化铈电导率的相互作用
机译:用于IT-SOFC的mar掺杂二氧化铈的处理。晶界对电导率的影响
机译:退火温度对掺c二氧化铈晶粒长大的影响
机译:氧化钇和二氧化铈共掺杂的Scan稳定氧化锆的体和晶界电导率随温度和氧分压的变化
机译:研究晶界,膜界面和晶体学取向对掺杂g的二氧化铈薄膜离子电导率的影响。
机译:一步和两步退火方法在高温下制备的自扩散Sn扩散Fe2O3阳极的光电化学阻抗和光学数据
机译:通过SPS和SPS后退火,纳米结构的掺杂samaria的二氧化铈具有改善的晶界导电性