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机译:具有固有缺陷的g-C_3N_4的结构,电子和光催化性质:第一原理混合功能研究
Chongqing Univ Coll Optoelect Engn Key Lab Optoelect Technol & Syst Minist Educ Chongqing 400044 Peoples R China;
Chongqing Univ Coll Phys Chongqing 400044 Peoples R China;
Third Mil Med Univ Army Med Univ Biomed Anal Ctr Coll Basic Med Chongqing 400038 Peoples R China;
g-C3N4; Intrinsic defects; Electronic structures; Photocatalytic properties; Strain engineering; Hybrid functional;
机译:非金属掺杂或缺陷工程与界面偶联对g-C_3N_4的光催化性能的协同效应:第一性原理研究
机译:内在缺陷和掺杂对SRFE_(12)O_(19)的影响:第一原理探索结构,电子和磁性
机译:具有固有缺陷的ZnO纳米片的电子和磁性的第一性原理研究
机译:内在和Si掺杂GaAs纳米线的第一原理研究:结构稳定性和电子性质
机译:研究化学官能化和纯化后的碳纳米管的结构和电子性能。
机译:硼 - 磷化物单层结构弹性和电子性能的缺陷和应变工程:杂交密度泛函理论研究
机译:石墨烯上功能分子自组装的结构和电子性质的第一性原理研究