GaN电子结构与光学性质的第一原理研究

摘要

采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质,计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.