机译:W-ZrC接口中界面稳定性和H和He迁移的第一性原理计算
Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys POB 1129 Hefei 230031 Anhui Peoples R China|Univ Sci & Technol China Hefei 230036 Anhui Peoples R China|JiangXi Univ Sci & Technol Sch Mat Sci & Engn Ganzhou 34100 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys POB 1129 Hefei 230031 Anhui Peoples R China;
Jiangxi Univ Sci & Technol Sch Sci Ganzhou 34100 Peoples R China;
W-ZrC interface; Interface energy; Stability; Hydrogen; Diffusion; First-principles calculations;
机译:(001)SrHfO_3 / GaAs接口上的接口间距,稳定性,能带偏移和电子特性:第一性原理计算
机译:Ag-Cu-Ti填充金属与SiC陶瓷之间润湿界面的第一性原理计算:Ag(111)/ SiC(111)界面和Ag(111)/ TiC(111)界面
机译:第一原理计算的W-ZRC接口的凝聚性特性
机译:基于第一原理计算的铂金掺入对NISI / SI结中热稳定性和界面电阻的影响
机译:利用统计を见る对金属硅化物/硅界面的电子结构进行第一性原理计算
机译:原子二氧化硅之间的界面说明动态核极化法测定铝硅酸盐中的铝和氧化铝表面增强NMR光谱和第一性原理计算
机译:通过第一原理计算研究LiC 6 sub>和β-li 3 sub> ps 4 sub>的界面结构稳定性
机译:表面和界面处的准粒子能量的第一性原理计算:半导体表面态光谱和带偏移