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机译:Si(100)上外延Si覆盖层双掺杂时晶格缺陷的演变
Northwest Univ Sch Phys 1 Xuefu Ave Xian 710127 Shaanxi Peoples R China|Oak Ridge Natl Lab Mat Sci & Technol Div 1 Bethel Valley Rd Oak Ridge TN 37830 USA;
Oak Ridge Natl Lab Ctr Nanophase Mat Sci 1 Bethel Valley Rd Oak Ridge TN 37830 USA|Naval Res Lab Mat Sci & Technol 4555 Overlook Ave SW Washington DC 20375 USA;
Bi dopant; Solid phase epitaxy; Si(100); Defect; Scanning tunneling microscopy; Annealing;
机译:Br-Si(100)上的Si外延生长:空间排斥相互作用如何影响覆盖层的形成
机译:外延氧化镁薄膜晶格常数的大收缩:点缺陷对晶格常数的影响
机译:外延氧化镁薄膜晶格常数的大收缩:点缺陷对晶格常数的影响
机译:SiGe晶格不匹配的外延异质结构:与外延生长条件有关的晶体缺陷的类型和密度
机译:使用表面活性剂对锗在硅(100)上外延生长的光发射研究
机译:Si(001)上GeSi覆盖层中位错释放晶格应变的原子尺度形成机理
机译:利用原子分辨率电子显微镜绘制外延氧化物薄膜sr3al2O6中的阳离子扩散通过晶格缺陷
机译:使用超晶格缓冲层减少外延生长中的缺陷。