机译:KF后沉积处理对Cu(In,Ga)Se_2表面和Cu(In,Ga)Se_2 / CdS界面硫化的影响
Univ Nantes, CNRS, Inst Mat Jean Rouxel IMN, UMR6502, 2 Rue Houssiniere,BP 32229, F-44322 Nantes 3, France;
Sorbonne Univ, Fac Sci & Ingn, CNRS, UMR,Lab Chim Phys Matiere & Rayonnement, Boite Courrier 1140,4 Pl Jussieu F, F-75252 Paris 05, France;
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Cu(In, Ga)Se-2; Sulfurization; XES; XPS; KF-PDT; Interface;
机译:化学浴沉积时间和温度对Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池中CdS / Cu(In,Ga)Se_2结性质的影响的电学和光学表征
机译:Na对低温下在聚酰亚胺衬底上生长的Cu(ln,Ga)Se_2太阳能电池的影响:对Cu(ln,Ga)Se_2 / Mo界面的影响
机译:Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜的银表面处理:CDS / CIGS异质结界面的新钝化过程
机译:Cu(In,Ga)Se_2 / CdS界面的电气和化学研究
机译:热和化学刺激驱动的Cu和Cu合金的表面和界面动力学
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:缺陷对CIGS(Cu(In,Ga)Se_2 / CdS)太阳能电池界面上的能带偏移和能量学的预测作用及其对改善性能的影响