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机译:改性离子束增强沉积法制备钒氧化物薄膜的退火特性
Jiangsu Polytech Univ, Dept Informat Sci, Changzhou 213106, Jiangsu, Peoples R China;
vanadium oxide films; annealing; ion beam enhanced deposition; THIN-FILMS; TEMPERATURE; MICROBOLOMETER; RESISTANCE; VO2;
机译:退火和放电对离子束辅助沉积作为AC-PDP保护层的MgO薄膜特性的影响
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机译:通过等离子体增强化学气相沉积制备的氧化硅膜的退火和氧化
机译:改性离子束增强沉积法制备钒氧化物薄膜的退火行为
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